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J-GLOBAL ID：200903078273929180

レーザーアニーリング方法

Inventor： 植田 健司 ,  松本 貴裕 ,  玉木 輝幸 ,  長谷川 昇
Applicant, Patent owner： 新日本製鐵株式会社
Agent (1)： 半田 昌男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993347875
Publication number (International publication number)：1995187890
Application date： Dec. 22, 1993
Publication date： Jul. 25, 1995
Summary：

【要約】【目的】 基板上に堆積された半導体材料のみを加熱できるとともに、溶融後固化するまでの時間を延長できるレーザーアニーリング方法を提供する。【構成】 第一のレーザー光14を照射して非晶質シリコン膜12の一部16を溶融させた直後に、第一のレーザー光よりも波長が長く、かつ、ビーム径が大きい第二のレーザー光18を、この溶融部分16に照射する。これにより、溶融部分16の周囲だけが局部的に加熱される。この加熱により、溶融部分が固化するまでに要する時間は延長され、したがって結晶化するときの粒径が大きくなり、これにより移動度を高めることができる。

Claim (excerpt)：

基板上に堆積された材料にレーザー光を照射するレーザーアニーリング方法において、第一のレーザー光を照射して前記材料の一部を溶融させたあとこの溶融した部分が固化する前に、前記第一のレーザー光よりも波長が長く、前記第一のレーザー光よりもビーム径が大きく、かつ前記材料を溶融させない範囲のエネルギーを有する第二のレーザー光を、前記溶融した部分に照射することを特徴とするレーザーアニーリング方法。

IPC (3)：

C30B 29/06 ,  H01L 21/268 ,  H01L 21/324