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J-GLOBAL ID:200903078276648378
交流動作エレクトロルミネッセンス素子
Inventor:
,
,
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
飯田 敏三
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2004036423
Publication number (International publication number):2005116503
Application date: Feb. 13, 2004
Publication date: Apr. 28, 2005
Summary:
【課題】 素子の作成が比較的容易にできる分散型様の構造を有しながら、従来の分散型素子のみならず薄膜型素子をも凌ぐような高い発光輝度を実現し、発光ムラを抑えた交流動作エレクトロルミネッセンス素子を提供する。【解決手段】 蛍光体粒子(14a)を含む発光層(14)と、無機誘電体物質を含む絶縁層(16)を有する電界発光するエレクトロルミネッセンス素子において、該発光層と絶縁層の合計厚みが15μm未満であって、エレクトロルミネッセンス素子の電極(12、18)間の平均電界強度が0.05MV/cm以上で発光を開始する交流動作エレクトロルミネッセンス素子。【選択図】図1
Claim (excerpt):
蛍光体粒子を含む発光層と、無機誘電体物質を含む絶縁層を有する電界発光するエレクトロルミネッセンス素子において、該発光層と絶縁層の合計厚みが15μm未満であって、エレクトロルミネッセンス素子の電極間の平均電界強度が0.05MV/cm以上で発光を開始することを特徴とする交流動作エレクトロルミネッセンス素子。
IPC (2):
FI (2):
H05B33/14 Z
, H05B33/22 Z
F-Term (4):
3K007AB02
, 3K007AB18
, 3K007DA02
, 3K007DA04
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (10)
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国際出願公開第02/080626号パンフレット
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エレクトロルミネッセンス素子及びその製造法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平10-376851
Applicant:南内嗣, 高田新三
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特公平1-18117号公報
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特開昭63-066282
-
特開平3-297092
-
特開平2-040890
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ELパネルの製造方法およびELパネル
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平10-138766
Applicant:株式会社東芝, 東芝電子エンジニアリング株式会社
-
薄膜EL素子
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2001-078334
Applicant:日本放送協会
-
エレクトロルミネッセンス素子
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2000-097403
Applicant:スリーエムイノベイティブプロパティズカンパニー
-
エレクトロルミネッセンス素子およびその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平11-007446
Applicant:ミネソタマイニングアンドマニュファクチャリングカンパニー
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Cited by examiner (8)
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特開昭63-066282
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特開平3-297092
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特開平2-040890
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ELパネルの製造方法およびELパネル
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Application number:特願平10-138766
Applicant:株式会社東芝, 東芝電子エンジニアリング株式会社
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特開昭63-066282
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薄膜EL素子
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2001-078334
Applicant:日本放送協会
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エレクトロルミネッセンス素子
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2000-097403
Applicant:スリーエムイノベイティブプロパティズカンパニー
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Gazette classification:公開公報
Application number:特願平11-007446
Applicant:ミネソタマイニングアンドマニュファクチャリングカンパニー
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