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J-GLOBAL ID：200903078281926874

半導体ウェーハのエッチングの後処理方法

Inventor： 井上 文雄 ,  大場 重男 ,  高石 和成 ,  黒田 幸夫
Applicant, Patent owner： 三菱マテリアルシリコン株式会社 ,  三菱マテリアル株式会社
Agent (1)： 佐藤 隆久 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993118371
Publication number (International publication number)：1994333897
Application date： May. 20, 1993
Publication date： Dec. 02, 1994
Summary：

【要約】【目的】混酸エッチング処理後に残留するアルミニウムなどの不純物を短時間かつ簡単に除去する。【構成】混酸エッチングを行った後であって水洗処理の乾燥を行う前に、フッ酸溶液を用いて半導体ウェーハの洗浄を行う。フッ酸溶液の濃度が、0.05体積%以上であり、このフッ酸溶液を用いた洗浄処理は、10リットル/分以上の流量でフッ酸溶液を20秒以上循環させながら行う。

Claim (excerpt)：

混酸エッチングを行った後であって水洗処理の乾燥を行う前に、フッ酸溶液を用いて半導体ウェーハの洗浄を行うことを特徴とする半導体ウェーハのエッチングの後処理方法。

IPC (2)：

H01L 21/304 341 ,  H01L 21/306