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J-GLOBAL ID：200903078283316313

スーパールミネッセントダイオード素子およびその製造方法

Inventor： 細羽 弘之
Applicant, Patent owner： シャープ株式会社
Agent (1)： 山本 秀策
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993320336
Publication number (International publication number)：1995176785
Application date： Dec. 20, 1993
Publication date： Jul. 14, 1995
Summary：

【要約】【目的】 高出力のスーパールミネッセント光を発光することができるスーパールミネッセントダイオード素子とそれを信頼高く作製する製造方法を提供する。【構成】 光の導波方向に斜面を有する段差構造を基板1表面に設け、この斜面上に対応する領域の活性層5を薄く形成する。活性層5では光は導波されにくく、実効的な反射率を十分低減できるので、レーザ発振を抑制することができる。電流非注入部Bは照射光に対して光吸収がないので高出力のスーパールミネッセント光を得ることができる。1回のMBE成長により、薄い積層構造を得ることができるので、活性層5よりも禁制帯幅の大きいウインドウ構造を容易に作製することができる。従って、Al組成の大きいGaAlAs層上への再成長工程の必要がなく良好な再成長界面が得られる。

Claim (excerpt)：

光の導波方向に斜面を有する段差構造の半導体基板上に、少なくとも第1の半導体層を含んでなる活性層の両面が、該第1の半導体層よりも禁制帯幅の大きい第2の半導体層と、該第1の半導体層よりも禁制帯幅の大きい第3の半導体層とで挟まれてなる発光用積層部を備えたスーパールミネッセントダイオード素子において、該発光用積層部は、該半導体基板の該段差構造の斜面上で薄く積層されており、該発光用積層部の光導波路は底面部と両側面部とからなる溝で構成され、各側面部は一つ以上の面方位を有するとともに、該一つ以上の面方位上の成長層がp型の導電性を示すスーパールミネッセントダイオード素子。