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J-GLOBAL ID：200903078290753435

薄膜ガスセンサ

Inventor： 鈴木 卓弥 ,  小野寺 克巳 ,  井上 文宏 ,  津田 孝一
Applicant, Patent owner： 富士電機株式会社
Agent (1)： 山口 巖 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999096952
Publication number (International publication number)：2000292399
Application date： Apr. 02, 1999
Publication date： Oct. 20, 2000
Summary：

【要約】【課題】電池駆動するために微小化したガス感知層と感知電極間のコンタクト抵抗を低減してガス感知感度(R0/Rg)を高めるとともにS/N比を高める。【解決手段】微小化したSnO2よりなるガス感知層を2層構造とし、第1層には触媒を添加し、第2層には触媒を添加しないままとするか、またはドナーとなる元素を添加し、第2層に感知電極を接合することにより、感知電極とガス感知層のコンタクト抵抗を小さくしするとともに、検知ガス中での感知電極間抵抗を小さくする。

Claim (excerpt)：

薄膜状の支持膜の外周部または両端部をSi基板により支持し、外周部または両端部が厚く中央部が薄く形成されたダイヤフラム様の支持基板上に、薄膜のヒーター層を形成し、この薄膜のヒーター層を電気絶縁膜で覆い、その上に半導体薄膜によりガス感知層を形成し、このガス感知層に接して所定間隔置いて1対の金属からなるの感知電極層を設けてなる薄膜ガスセンサにおいて、ガス感知層を、触媒を含む第1層と触媒を含まない第2層との二層構造とし、この第2層の両端に前記電極層を接合したことを特徴とする薄膜ガスセンサ。

IPC (2)：

G01N 27/12 ,  G08B 21/00

FI (2)：

G01N 27/12 B ,  G08B 21/00 W

F-Term (26)：

2G046AA11 ,  2G046AA19 ,  2G046AA21 ,  2G046AA24 ,  2G046BA01 ,  2G046BA06 ,  2G046BA09 ,  2G046BB02 ,  2G046BB04 ,  2G046BC05 ,  2G046BE03 ,  2G046DA02 ,  2G046DB04 ,  2G046DC12 ,  2G046DD01 ,  2G046EA04 ,  2G046EA09 ,  2G046EB01 ,  2G046FB02 ,  2G046FE24 ,  2G046FE31 ,  2G046FE36 ,  2G046FE38 ,  2G046FE39 ,  2G046FE41 ,  2G046FE44

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• ガスセンサおよびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-048946   Applicant：富士電機株式会社
• 薄膜ガスセンサ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-248629   Applicant：富士電機株式会社
• 特開昭54-021397
  
• 特開昭54-007196