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J-GLOBAL ID：200903078299477740
半導体装置の製造方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
岡本 啓三
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993043967
Publication number (International publication number)：1993347280
Application date： Mar. 04, 1993
Publication date： Dec. 27, 1993
Summary：
【要約】【目的】基体上に形成された多結晶シリコン膜/金属シリサイド膜の2層膜のドライエッチング方法に関し、フロン系ガスを用いなくても、寸法制御性及びエッチングの選択比の向上を図ることができ、更に、エッチング後の被加工体の形状が耐エッチング性膜の形成領域の面積と被加工体の露出面積とのウエハ上の面積比率に依存しないようにすることが可能な半導体装置の製造方法を提供する。【構成】基体21上に形成された多結晶シリコン膜24/金属シリサイド膜25の2層膜をドライエッチングする方法において、HBrガス,Br2 ガス及びBBr3 ガスのうち少なくともいずれか一つを含む反応ガスを用いて反応ガスをプラズマ放電により活性化し、かつ基体21の温度を60°C以上に保持した状態で、無機化合物からなる耐エッチング性膜37aをマスクとしてドライエッチングすることを含み構成する。
Claim (excerpt)：
基体上に形成された多結晶シリコン膜/金属シリサイド膜の2層膜を有する被加工体をドライエッチングする際に、HBrガス,Br2 ガス及びBBr3 ガスのうち少なくともいずれか一つを含む反応ガスを用いて該反応ガスをプラズマ放電により活性化し、かつ前記基体の温度を60°C以上に保持した状態で、無機化合物からなる耐エッチング性膜をマスクとして前記被加工体の選択的なエッチングを行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。
Patent cited by the Patent：
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