Pat

J-GLOBAL ID：200903078301179400

半導体磁気抵抗素子

Inventor： 柿沼 制 ,  宮野 雅一 ,  岩井 克也
Applicant, Patent owner： ティーディーケイ株式会社
Agent (1)： 石井 陽一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999074207
Publication number (International publication number)：2000269567
Application date： Mar. 18, 1999
Publication date： Sep. 29, 2000
Summary：

【要約】【課題】 無磁界抵抗値を変えるために、簡便で低コストな感磁層厚を制御する方法を採用しつつ、磁気抵抗素子が得られ、感磁層の厚みが厚くても高いRB/R0を維持することが出来る半導体磁気抵抗素子、およびその製造方法を提供する。【解決手段】 本発明の半導体磁気抵抗素子は、半導体感磁層に短絡電極が形成された半導体磁気抵抗素子において、短絡電極が半導体感磁層の両面に対向して形成されていることを特徴とする。

Claim (excerpt)：

半導体感磁層に短絡電極が形成された半導体磁気抵抗素子において、短絡電極が半導体感磁層の両面に対向して形成されていることを特徴とする半導体磁気抵抗素子。