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J-GLOBAL ID：200903078307169163

ポジレジスト膜の残存ガス除去方法

Inventor： 米澤 真也
Applicant, Patent owner： ミツミ電機株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994197423
Publication number (International publication number)：1996045831
Application date： Jul. 30, 1994
Publication date： Feb. 16, 1996
Summary：

【要約】【目的】本発明は、ドライエッチング,イオン打ち込み等の処理前に、ポジレジスト膜に含まれる残存ガスを放出させておくようにした、ポジレジスト膜の残存ガス除去方法を提供することを目的とする。【構成】半導体基板10の表面に、パターン転写したポジレジスト膜11を形成した後、ドライエッチング,イオン打ち込み等の処理を行なう、半導体製造工程において、上記処理前に、ポジレジスト膜に紫外線を照射して、ポジレジスト膜11のUV硬化を行なうことにより、該ポジレジスト膜中の残存ガス13を放出させるように、構成する。

Claim (excerpt)：

半導体基板の表面に、パターン転写したポジレジスト膜を形成した後、ドライエッチング,イオン打ち込み等の処理を行なう、半導体製造工程において、上記処理前に、ポジレジスト膜に紫外線を照射して、ポジレジスト膜のUV硬化を行なうことにより、該ポジレジスト膜中の残存ガスを放出させるようにしたことを特徴とする、ポジレジスト膜の残存ガス除去方法。

IPC (2)：

H01L 21/027 ,  H01L 21/26

FI (3)：

H01L 21/30 570 ,  H01L 21/26 Z ,  H01L 21/30 571