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J-GLOBAL ID：200903078309525404

導電層のプラズマ処理

Inventor： シュトルム,ジェームズ,シー. ,  ウー,チュン-チー
Applicant, Patent owner： ザ トラスティーズ オブ プリンストン ユニバーシテイ
Agent (1)： 浅村 皓 (外3名)
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：1998501839
Publication number (International publication number)：2000512795
Application date： Jun. 12, 1997
Publication date： Sep. 26, 2000
Summary：

【要約】半導電性及び導電性の層(10)の表面特性例えば仕事関数をプラズマ処理によって改質する方法。また、プラズマ処理で改質された半導電層又は導電層の使用による向上した性能の有機発光素子(100)のような電気デバイスも開示されている。

Claim (excerpt)：

プラズマ処理によって改変された仕事関数を有する半導電層又は導電層を含んでいる電気デバイス。

IPC (2)：

H05B 33/28 ,  H05B 33/14

FI (2)：

H05B 33/28 ,  H05B 33/14 A