Pat
J-GLOBAL ID：200903078315804617
酸化物超電導薄膜およびその製造方法ならびに超電導トンネル接合およびその製造方法
Inventor：
,
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
鈴江 武彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991305124
Publication number (International publication number)：1993007027
Application date： Nov. 20, 1991
Publication date： Jan. 14, 1993
Summary：
【要約】【目的】基板面に垂直な方向に大きな臨界電流密度およびコヒーレンス長が得られる酸化物超電導薄膜を提供する。【構成】活性酸素とBi系、Tl系、Pb系からなる群より選択される酸化物を構成する一部の金属成分を供給して基板上に酸化物からなる組成変調膜を形成し、さらに活性酸素とBi系、Tl系、Pb系からなる群より選択される酸化物を構成する全部の金属成分を供給して組成変調膜上に酸化物超電導薄膜を形成することにより、全c軸のうち基板面に垂直な方向に向いているc軸の割合を1%以下に抑える。
Claim (excerpt)：
基板上に形成されたBi系、Tl系、Pb系からなる群より選択される酸化物からなる酸化物超電導薄膜において、前記酸化物の全c軸のうち前記基板面に垂直な方向に向いているc軸の割合が1%以下であることを特徴とする酸化物超電導薄膜。
IPC (2)：
H01L 39/24 ZAA
, H01L 39/22 ZAA
Cited by examiner (7)
Show all
Return to Previous Page
