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J-GLOBAL ID：200903078322324485

半導体装置の保護膜の形成方法

Inventor： 松崎 一夫
Applicant, Patent owner： 富士電機株式会社
Agent (1)： 山口 巖
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994024635
Publication number (International publication number)：1995235532
Application date： Feb. 23, 1994
Publication date： Sep. 05, 1995
Summary：

【要約】【目的】半導体装置上に塗布、焼成して形成される、強度、耐湿性、耐イオン透過性等の膜質が優れた半導体装置用の保護膜を得る。【構成】ポリシランに加熱、重合、抽出、蒸発、溶解等の操作を加えて分子量の揃ったポリシラン重合体の溶液を調製し、これを半導体装置上に塗布した後、酸素を含む雰囲気で焼成することにより、炭化シリコンを含む保護膜を形成する。焼成時の酸素と窒素との混合比を変えることによって、炭化シリコン、窒化シリコン、酸化シリコンの膜組成比を制御し、最適な膜を得ることができる。

Claim (excerpt)：

半導体装置にポリシラン重合体を溶解した液体を塗布し、400°C以上500°C以下の温度で焼成し、炭化シリコンを主成分とする膜とすることを特徴とする半導体装置の保護膜の形成方法。

IPC (2)：

H01L 21/314 ,  H01L 21/316

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-204832   Applicant：富士通株式会社