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J-GLOBAL ID：200903078325714039

歪多重量子井戸光デバイス

Inventor： 須崎 慎三 ,  相澤 卓也 ,  ケー・ジー・ラビクマール
Applicant, Patent owner： 株式会社フジクラ
Agent (1)： 伊丹 勝
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993347359
Publication number (International publication number)：1995183614
Application date： Dec. 24, 1993
Publication date： Jul. 21, 1995
Summary：

【要約】【目的】 光閉じ込め効果を劣化せることなく歪導入による特性向上を可能とした歪MQW光デバイスを提供する。【構成】 n型InP基板1上に、n型InPバッファ層2、n型InGaAsP下部光閉じ込め層3、i型MQW層4、p型InGaAsP上部光閉じ込め層5及びp型InPクラッド層6を順次積層形成してMQWレーザが構成される。MQW層4は、-0.5〜-2.0%の引っ張り歪が導入されたInx Ga1-xAs井戸層12と、無歪のIn0.82Ga0.18As0.4 P0.6 バリア層11を基本とし、各井戸層12とバリア層11の間には、井戸層12に歪を閉じ込めるために、0.5〜2.0%の範囲で井戸層12と同程度の大きさで逆極性の圧縮歪を導入したIny Ga1-y As歪閉じ込め層13を介在させている。

Claim (excerpt)：

井戸層とバリア層が交互に積層され井戸層に歪が導入された多重量子井戸層と、この多重量子井戸層を挟む光閉じ込め層とを有する多重量子井戸光デバイスにおいて、前記多重量子井戸層の各井戸層とバリア層の間に井戸層の歪を閉じ込める歪閉じ込め層を介在させたことを特徴とする歪多重量子井戸光デバイス。