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J-GLOBAL ID：200903078331740572

半導体レーザ

Inventor： 田中 治夫 ,  尺田 幸男
Applicant, Patent owner： ローム株式会社
Agent (1)： 河村 洌 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994235011
Publication number (International publication number)：1996097507
Application date： Sep. 29, 1994
Publication date： Apr. 12, 1996
Summary：

【要約】【目的】 GaN系化合物半導体を用いた半導体レーザにおいて、電流阻止層に光を吸収せずもれの少ない材料を用い、発光効率の高い利得導波構造型を可能とし、発振光のノイズの制御(低ノイズ化)、横方向の光の広がり制御およびキンク、縦モードの制御が容易に行われうる半導体レーザを提供する。【構成】 チッ化ガリウム系化合物半導体からなる活性層4が該活性層よりバンドギャップエネルギーが大きいチッ化ガリウム系化合物半導体からなる上部および下部クラッド層3、5、7により挟持されてなる半導体レーザであって、前記上部または下部クラッド層の少なくとも一方の層中に該層を形成する化合物半導体より屈折率が小さく、かつ、該層の導電型と異なる導電型または電気抵抗の大きい材料からなり、ストライプ溝が形成された電流阻止層6が設けられている。

Claim (excerpt)：

チッ化ガリウム系化合物半導体からなる活性層が該活性層よりバンドギャップエネルギーが大きいチッ化ガリウム系化合物半導体からなる上部および下部クラッド層により挟持されてなる半導体レーザであって、前記上部または下部クラッド層の少なくとも一方の層中に該層を形成する化合物半導体より屈折率が小さく、かつ、該層の導電型と異なる導電型または電気抵抗の大きい材料からなり、ストライプ溝が形成された電流阻止層が設けられてなる半導体レーザ。