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J-GLOBAL ID：200903078345020254

シリコン系薄膜光電変換装置

Inventor： 山本 憲治 ,  多和田 裕子
Applicant, Patent owner： 鐘淵化学工業株式会社
Agent (1)： 鈴江 武彦 (外5名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999070176
Publication number (International publication number)：2000269529
Application date： Mar. 16, 1999
Publication date： Sep. 29, 2000
Summary：

【要約】【課題】光反射性金属層とともに裏面電極を構成する透明導電性酸化物層の光透過率を向上させることによりシリコン系薄膜光電変換装置の変換効率を改善する。【解決手段】光反射性金属層(141)およびその前面側に設けられた透明導電性酸化物層(142)を含む裏面電極と、一導電型層(131)、結晶質シリコン系薄膜からなる光電変換層(132)および逆導電型層(133)を含むシリコン系薄膜光電変換ユニットと、裏面電極とを備える。光反射性金属層(141)は、イットリウムを含有する酸化亜鉛を含む。

Claim (excerpt)：

光反射性金属層およびその前面側に設けられた透明導電性酸化物層を含む裏面電極と、前記裏面電極の前面側に設けられた、一導電型層、結晶質シリコン系薄膜からなる光電変換層および逆導電型層を含むシリコン系薄膜光電変換ユニットと、前記光電変換ユニットの前面側に設けられた透明前面電極とを備え、前記透明導電性酸化物層は、イットリウムを含有する酸化亜鉛を含むことを特徴とするシリコン系薄膜光電変換装置。

FI (2)：

H01L 31/04 M ,  H01L 31/04 H

F-Term (12)：

5F051AA03 ,  5F051AA04 ,  5F051AA05 ,  5F051CA15 ,  5F051DA04 ,  5F051FA02 ,  5F051FA06 ,  5F051FA18 ,  5F051FA19 ,  5F051FA23 ,  5F051GA03 ,  5F051GA05