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J-GLOBAL ID：200903078349585558
シリカゲルの製造方法
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
,
Agent (2)：
工業技術院物質工学工業技術研究所長 (外1名)
, 畑岸 義夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994065629
Publication number (International publication number)：1995242410
Application date： Mar. 08, 1994
Publication date： Sep. 19, 1995
Summary：
【要約】【目的】 高い比表面積でしかもその調整が容易なシリカゲルの製造方法を提供する。【構成】 ケイ素のアルコキシドにクエン酸または酒石酸から選ばれた有機酸を、有機酸/Siモル比として0.7〜1.3の範囲となるように加えて加水分解を行い、加水分解物を乾燥した後、300〜500°Cの範囲の温度で焼成することによりシリカゲルを得る。このシリカゲルの製造方法によれば、容易にシリカゲルの比表面積を調整することができ、しかも高い比表面積のシリカゲルを得ることができる。またこの方法は、従来知られている高比表面積のシリカゲルの製造方法に比べその工程が簡易であり産業上有益な方法である。
Claim (excerpt)：
ケイ素のアルコキシドにクエン酸または酒石酸から選ばれた有機酸を、有機酸/Siモル比として0.7〜1.3の範囲となるように加えて加水分解を行い、加水分解物を乾燥した後、300〜500°Cの範囲の温度で焼成することからなるシリカゲルの製造方法。
Patent cited by the Patent：
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