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J-GLOBAL ID：200903078351411400

薄膜トランジスタ

Inventor： 中島 充雄
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 須山 佐一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995236392
Publication number (International publication number)：1997082973
Application date： Sep. 14, 1995
Publication date： Mar. 28, 1997
Summary：

【要約】 (修正有)【課題】 ゲート絶縁膜のステップカバレージが良好で、特性が優れ、かつ生産性の高い薄膜トランジスタを提供する。【解決手段】 コンタクト領域とを有する半導体膜と、この半導体膜の上側からこの半導体膜のコンタクト領域に開口部を有するように形成されたゲート絶縁膜104と、このゲート絶縁膜上の半導体膜のチャネル領域101に対応する領域に形成されたゲート電極105と、ゲート電極の上側から半導体膜のコンタクト領域に開口部を有するように形成された層間絶縁膜108と、層間絶縁膜上に半導体膜のコンタクト領域と開口部を通じて接続するように形成された複数の電極とを具備する。また層間絶縁膜中の水素濃度によってゲート電極と層間絶縁膜との接合状態を制御する。

Claim (excerpt)：

透明絶縁性基板上に形成された第1の基板保護膜と、前記第1の基板保護膜上に形成された所定形状の第2の基板保護膜と、前記第2の基板保護膜上に形成されたチャネル領域とこのチャネル領域を挟んで形成されたコンタクト領域とを有する半導体膜と、前記半導体膜の上側からこの半導体膜のコンタクト領域に開口部を有するように形成されたゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上の前記半導体膜のチャネル領域に対応する領域に形成されたゲート電極と、前記ゲート電極の上側から前記半導体膜のコンタクト領域に開口部を有するように形成された層間絶縁膜と、前記層間絶縁膜上に前記半導体膜のコンタクト領域と前記開口部を通じて接続するように形成された複数の電極とを具備することを特徴とする薄膜トランジスタ。

FI (2)：

H01L 29/78 626 C ,  H01L 29/78 616 S

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 特開平4-111362
  
• 薄膜状半導体素子およびその作製方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-238709   Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所