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J-GLOBAL ID：200903078357252754

半導体装置へのバンプ形成方法

Inventor： 伊藤 睦禎
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 山本 秀樹
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993240304
Publication number (International publication number)：1995074251
Application date： Sep. 02, 1993
Publication date： Mar. 17, 1995
Summary：

【要約】【目的】 半導体ウェハー内の全半導体装置にわたってバンプが形成できるようにする。【構成】 半導体装置にバンプを形成する方法において、下地材料としてのバリヤメタル4の上に感光性液状レジスト5を塗布する工程と、前記感光性液状レジスト5の上に感光性ドライフィルムレジスト7をラミネートする工程とによってバンプ13を形成する。

Claim (excerpt)：

半導体装置にバンプを形成する方法において、下地材料の上に感光性液状レジストを塗布する工程と、前記感光性液状レジストの上に感光性ドライフィルムレジストをラミネートする工程とを有することを特徴とする半導体装置へのバンプ形成方法。

IPC (3)：

H01L 21/78 ,  H01L 21/027 ,  H01L 21/60 311

FI (2)：

H01L 21/72 ,  H01L 21/30 573

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

• 特開昭63-222446
  
• 特開平1-135046