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J-GLOBAL ID：200903078371544644

樹脂封止型半導体装置

Inventor： 小角 博義 ,  尾形 正次 ,  江口 州志 ,  鈴木 和弘 ,  石井 利昭
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 高橋 明夫 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993109033
Publication number (International publication number)：1994326220
Application date： May. 11, 1993
Publication date： Nov. 25, 1994
Summary：

【要約】【構成】1分子当り2個以上のエポキシ基とビフェニル骨格とを有するビフェニル型エポキシ樹脂、1分子当り2個以上の水酸基を有するフェノールとアラルキルエーテルとの重縮合物、有機ホスフィン系化合物の有機ボロン塩、及び無機充填剤を含む樹脂組成物で封止されている樹脂封止型半導体装置。【効果】耐はんだリフロー性、耐湿信頼性並びに高温放置信頼性に優れ、特に、金ワイヤとアルミニウム電極接合部の高温における接続信頼性が優れており、実装の高密度化を図ることができる。

Claim (excerpt)：

(a)一般式〔1〕【化1】(式中、Rは水素原子またはメチル基を示し互いに異なっていてもよい、nは0〜2の整数を示す。)で表されるビフェニル型エポキシ樹脂、(b)一般式〔2〕【化2】(式中、mは1〜10の整数を示す。)で表される硬化剤、(c)一般式〔3〕【化3】(式中、R1〜R6はフェニル基,ブチル基,シクロヘキサン環を示し互いに異なっていてもよい。)で表される硬化促進剤と、(d)組成物の全体に対して50〜90容量%の無機充填剤、を含むエポキシ樹脂組成物で封止されていることを特徴とする樹脂封止型半導体装置。

IPC (4)：

H01L 23/29 ,  H01L 23/31 ,  C08G 59/20 NHQ ,  C08G 59/40 NJL

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 半導体装置およびその製法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-133416   Applicant：日東電工株式会社
• 特開平4-015216