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J-GLOBAL ID：200903078378131892
絶縁ゲート型電界効果トランジスタ及びその製造方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
山下 穣平
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992032945
Publication number (International publication number)：1993206463
Application date： Jan. 24, 1992
Publication date： Aug. 13, 1993
Summary：
【要約】【目的】 ゲート電極の端部からソース、ドレイン領域を十分な距離離し、電界強度が小さくなるようにする。【構成】 ゲート電極7の端部における絶縁膜6の厚さを、該端部以外の絶縁膜6の厚さよりも厚くする。
Claim (excerpt)：
ソース、ドレイン領域がチャネル領域を介して形成され、該チャネル領域上に絶縁膜を介してゲート電極が形成された絶縁ゲート型電界効果トランジスタにおいて、前記ゲート電極の端部における絶縁膜の厚さを、該端部以外の絶縁膜の厚さよりも厚くしたことを特徴とする絶縁ゲート型電界効果トランジスタ。
IPC (2)：
Patent cited by the Patent：
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