Pat

J-GLOBAL ID：200903078389194098

圧接形半導体装置および製造方法

Inventor： 吉岡 忻治
Applicant, Patent owner： 東洋電機製造株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994338834
Publication number (International publication number)：1996186135
Application date： Dec. 27, 1994
Publication date： Jul. 16, 1996
Summary：

【要約】【目的】大電力用の圧接形半導体装置の内部構造として、半導体基体1、カソード応力緩衝板4、カソード熱緩衝板5およびゲート部の構造等を巧みに構成することにより、圧接が均一で放熱的にも有利な信頼性の高い圧接形半導体装置およびその製造方法を提供することにある。【構成】ゲート電極のリング帯状部には、薄板で形成され底面を開口した鉢状部材の底面部を固着し、この鉢状部材の上部を圧接形半導体装置の絶縁シール筒内側に設けたリングゲート受に連絡固定する手段を具備し、半導体基体の外周近傍に絶縁部材を設け、カソード熱緩衝板をカソード電極とカソード主電極間に設け、更にカソード熱緩衝板の外周と前記鉢状部材の内部間に、軟質で接着性を有するゲート外周絶縁材を充填するなどを行った装置並びに製造方法。

Claim (excerpt)：

円板状の半導体基体の一表面に、複数の島状に突出形成したカソード電極と、その各々の谷部周囲を互いに接続した網の目状部と半導体基体の外周部に設けたリング帯状部とを連結してなるゲート電極とを具備し、半導体基体の他の一表面をアノード電極面とした圧接形半導体装置において、前記ゲート電極のリング帯状部には、薄板で形成され底面を開口した鉢状部材の底面部を固着し、この鉢状部材の上部を圧接形半導体装置の絶縁シール筒内側に設けたリングゲート受に連絡固定する手段を具備し、前記アノード電極面の最外周縁付近から半導体基体の外周端面および前記鉢状部材の底面部と該ゲート電極のリング帯状部の固着部付近までを接着性の絶縁部材により環状に覆い、半導体基体の表面絶縁部を形成してなる圧接形半導体装置。

IPC (2)：

H01L 21/52 ,  H01L 29/74

FI (2)：

H01L 29/74 L ,  H01L 29/74 J