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J-GLOBAL ID：200903078389835409

超音波加熱を用いた半導体集積回路配線系の検査法および装置

Inventor： 二川 清
Applicant, Patent owner： 日本電気株式会社
Agent (1)： 京本 直樹 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995128049
Publication number (International publication number)：1996320359
Application date： May. 26, 1995
Publication date： Dec. 03, 1996
Summary：

【要約】【目的】 半導体集積回路チップ上の配線やビアホールといった配線系の検査をするためのBIRCH法やノンバイアス法は、従来は、配線TEGを用いての観測のように半導体基板を観測系に含まない場合にしか適用できず、製品には適用できないため、その実用化の大きな障害になっていた。加熱方法として、超音波を用いることで、このような制限を無くし、実製品の検査をも可能にする。【構成】 試料(集積回路)に定電圧源で電力を供給した状態で、超音波ビームを試料上に照射しながら、グランド配線に流れる電流の変化を検出する。電流の変化量から、配線中の欠陥の有無や、配線に流れる電流量が分かる。

Claim (excerpt)：

集積回路チップ上の配線系を検査する方法であって、集積回路に電圧を印加しつつ、前記配線系に超音波ビームを照射し、前記集積回路に流れる電流の変化を検出することを特徴とする半導体集積回路チップ上の配線系を検査する方法。

IPC (4)：

G01R 31/302 ,  G01R 31/02 ,  G01R 31/26 ,  H01L 21/66

FI (4)：

G01R 31/28 L ,  G01R 31/02 ,  G01R 31/26 G ,  H01L 21/66 S