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J-GLOBAL ID:200903078397727380

窒化アルミニウム基板上にアルミニウム被覆構造を形成する方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 川口 義雄 (外2名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1994146675
Publication number (International publication number):1995058436
Application date: Jun. 28, 1994
Publication date: Mar. 03, 1995
Summary:
【要約】【目的】 寸法の小さな穴に導電構造を形成し、しかも得られた導電構造の均一性と密着性とを向上する。【構成】 本発明は、窒化アルミニウム基板上の所定の領域内にアルミニウム被覆構造を形成する方法を対象としており、上記領域を、パルス・モードで作動し、193〜351nmの範囲の波長を有する紫外線レーザによって照射し、上記領域上でのエネルギー密度が500mJ/cm2 に等しいか、それを上回ることを特徴としている。本発明は同じく、前述の方法によって得られ、厚さが1μm未満のアルミニウム層を含むアルミニウム被覆構造を対象としている。
Claim (excerpt):
窒化アルミニウム基板の所定領域上にアルミニウム被覆構造を形成する方法であって、上記領域をパルス・モードで作動し、193〜351nmの範囲の波長を有する紫外線レーザで照射し、また上記領域におけるエネルギー密度が500mJ/cm2 に等しいか、それを上回ることを特徴とする方法。
IPC (3):
H05K 3/10 ,  C23F 4/02 ,  H05K 3/40

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