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J-GLOBAL ID：200903078399859187

半導体レーザの製造方法

Inventor： 植木伸明 ,  中山秀生 ,  福永秀樹
Applicant, Patent owner： 富士ゼロツクス株式会社
Agent (1)： 小田 富士雄 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991267075
Publication number (International publication number)：1993136518
Application date： Sep. 17, 1991
Publication date： Jun. 01, 1993
Summary：

【要約】 (修正有)【目的】 漏れ電流の小さな半導体レーザ装置の製造方法【構成】 n型GaAs基板1上にn型クラッド層3を形成し、この上方に量子井戸を含む活性層5と、p型クラッド層7のメサストライプ9を形成し、このメサストライプ底部にSiを付着し固相拡散させるときに、保護膜を厚さが500オングストローム以下のSiO2とする。【効果】 電流注入領域の幅’w’をメサ・ストライプの幅よりも狭くなるように制御し漏れ電流を無くする。

Claim (excerpt)：

n型GaAs基板上にn型クラッド層を形成する工程と、このn型クラッド層の上方に量子井戸を含む活性層を形成する工程と、この活性層の上方にp型クラッド層を形成する工程と、選択エッチングのためのストライプマスクを前記p型クラッド層の上方に形成する工程と、このストライプマスクを用いて前記p型クラッド層の一部をエッチングすることによりメサストライプを形成する工程と、このエッチング工程の後にn型不純物材料を蒸着する工程と、この蒸着工程の後に前記ストライプマスクのみを溶解することにより前記ストライプマスク上の前記蒸着されたn型不純物材料を除去する工程と、前記蒸着されたn型不純物材料上に保護膜を形成する工程と、この後に熱処理することにより前記メサストライプ底部のみに前記不純物を拡散する工程を含む半導体レーザの製造方法において、前記保護膜が厚さが500オングストローム以下のSiO2から成ることを特徴とする半導体レーザの製造方法。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開平2-194587
  
• 特開平2-077184
  
• 特開平1-225188