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J-GLOBAL ID：200903078412828733
タンタル膜の形成方法
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991197444
Publication number (International publication number)：1993179437
Application date： Jul. 12, 1991
Publication date： Jul. 20, 1993
Summary：
【要約】【構成】 希ガスに窒素、二酸化炭素、メタン、酸素のガスから選ばれる1種、あるいは複数種添加してタンタルをスパッタリングして第1のタンタル層2を形成し、その後希ガスのみを用いてタンタルをスパッタリングして第2のタンタル層3を形成する。【効果】 アクティブマトリクス方式の液晶表示パネルの配線や電極に用いるタンタル膜の比抵抗が小さくなり、液晶表示パネルの大面積化が可能となる。
Claim (excerpt)：
希ガスに窒素、二酸化炭素、メタン、酸素から選ばれる1種あるいは複数種のガスを添加しタンタルをターゲットとするスパッタリング法により第1のタンタル層を形成し、その後希ガスを用いてタンタルをターゲットとするスパッタリング法により第2のタンタル層を形成することを特徴とするタンタル膜の形成方法。
IPC (4)：
C23C 14/34
, C22C 27/02 103
, C23C 14/06
, C23C 28/02
