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J-GLOBAL ID：200903078419992466

選択性膜およびその調製のためのプロセス

Inventor： ペリー, モーデシャイ
Applicant, Patent owner： ビー.ピー.ティー. バイオ ピュア テクノロジー リミテッド
Agent (1)： 山本 秀策
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2000531239
Publication number (International publication number)：2002502692
Application date： Feb. 15, 1999
Publication date： Jan. 29, 2002
Summary：

【要約】選択性複合膜を調製するためのプロセスであって、このプロセスは多くの実用的な用途を有し、このプロセスは、非対称基底膜中の比較的小さい細孔を備える上部層の少なくとも幾つかの細孔を非対称基板膜に大気圧を超える圧力で反応物の溶液を適用することによって、充填物質で合成的に含浸する工程を含み、この充填物質は、規則正しい高分子構造体を含み、反応物の溶液は、規則正しい高分子構造体における共有結合の形成で相互作用するように適合され、ここで、このような期間、反応物の希釈度は十分低く、圧力は十分に高く、その結果、共有結合の形成は、マイクロ反応容器のような上部層の細孔内で開始され、そして上部層の細孔内で進行し、このような共有結合を形成する反応は任意の所望の段階で停止される。

Claim (excerpt)：

選択性複合膜を非対称基底膜から調製するためのプロセスであって、該選択性複合膜は、以下の成分(a)、(b)および(c): (a) 比較的小さい細孔を有する、上部薄層; (b) 層(a)と層(c)との間に位置した中間層であって、該中間層は層(a)と層(c)のサイズの中間の細孔サイズを有する、中間層; (c) 層(a)よりも厚い下部層であって、該層(c)は、層(a)におけるよりも比較的大きい細孔を有する、下部層、のうち、少なくとも成分(a)および(c)を含み、 該プロセスは、規則正しい高分子構造体を含む充填物質を用い、層(a)の少なくとも幾つかの細孔において、合成的に含浸する工程を包含し、該合成的含浸は、層(a)の表面に大気圧を超える圧力を、あるいは層(c)の表面に真空を、あるいは、該大気圧を超える圧力および該真空の両方を適用する工程を伴って、全ての反応物を含む溶液を該層(a)の細孔に押し込む工程を包含し、該反応物は、該規則正しい高分子構造体における共有結合の形成で相互作用するように適合され、ここで、該溶液中の該反応物の濃度および該層(a)の表面と該層(c)との間の圧力差は、該押し込む工程より前に重要な反応は該溶液中で起こらないが、該共有結合の形成が、マイクロ反応容器のような層(a)の細孔中で開始され、そして、該層(a)の該細孔内で進行するような濃度および圧力差であり、該規則正しい高分子構造体中で該共有結合を形成する該反応は、任意の所望の段階で停止され、ここで、該基底非対称膜と該規則正しい高分子構造体との両方は、独立して、有機物質、無機物質およびそれらの混合物から選択される、 プロセス。

IPC (3)：

B01D 67/00 ,  B01D 39/16 ,  B01D 69/12

FI (3)：

B01D 67/00 ,  B01D 39/16 C ,  B01D 69/12

F-Term (35)：

4D006GA03 ,  4D006GA06 ,  4D006GA13 ,  4D006GA25 ,  4D006GA41 ,  4D006MA01 ,  4D006MA02 ,  4D006MA03 ,  4D006MA04 ,  4D006MA06 ,  4D006MA25 ,  4D006MB10 ,  4D006MB11 ,  4D006MB12 ,  4D006MB19 ,  4D006MC16 ,  4D006MC27 ,  4D006MC29 ,  4D006MC39 ,  4D006MC48 ,  4D006MC49 ,  4D006MC50 ,  4D006MC54 ,  4D006MC55 ,  4D006MC58 ,  4D006NA41 ,  4D006NA46 ,  4D006NA54 ,  4D006PB08 ,  4D006PC11 ,  4D006PC42 ,  4D019AA03 ,  4D019BA13 ,  4D019BB08 ,  4D019BC07