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J-GLOBAL ID：200903078420147672

ホットキャリア劣化の改善されたトランジスタの製造方法

Inventor： サンダー スリニヴァサン チェトラー ,  アイシック シー.キズリヤリ ,  マイケル エー.ラーリー ,  イー マ ,  アラン アール.マッセンゲール ,  プラディップ クマー ロイ
Applicant, Patent owner： ルーセント テクノロジーズ インコーポレーテッド
Agent (1)： 岡部 正夫 (外11名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000006222
Publication number (International publication number)：2000208430
Application date： Jan. 12, 2000
Publication date： Jul. 28, 2000
Summary：

【要約】【解決手段】 ホットキャリア劣化の減じたトランジスタの製造方法が開示されている。活性デバイス領域をシリコン基板上に形成する。ゲート側壁を有するゲート導体領域を、ソースおよびドレイン領域を定義するチャネル領域上を覆うゲート酸化物層により誘電的に離して形成する。薄くドープされたドレイン構造およびゲート側壁スペーサを形成する。ゲート酸化物とドレイン領域内の薄くドープされたドレイン構造との間に位置する界面で、窒素とケイ素を結合させるのに十分な量の酸化窒素(NO)、アンモニア(NH3)または亜酸化窒素(N2O)のうち少なくとも1種類の雰囲気中でドレイン領域をアニールする。

Claim (excerpt)：

シリコン基板に活性デバイス領域を形成する工程と、前記活性デバイス領域内のソース領域とドレイン領域との間で定義されるチャネル領域を覆うゲート酸化物層により誘電的に離して、ゲート側壁を有するゲート導体領域を形成する工程と、前記シリコン基板内の前記ソース領域とドレイン領域を、ゲート酸化物層との界面を有する薄くドープされたドレイン構造を形成するのに十分な量のドーパントでドープする工程と、誘電体酸化物層を、前記ゲート導体領域ならびにソース領域とドレイン領域に堆積する工程と、前記堆積させた誘電体酸化物層をエッチングして前記ゲート側壁に垂直に延びるスペーサを形成する工程と、前記薄くドープされたドレイン構造よりも深くまで広がり、より高濃度のドーパントを有するソースおよびドレイン注入物を形成するのに十分な量で前記ソース領域とドレイン領域をドーピングする工程と、前記ゲート酸化物と前記ドレイン領域内の前記薄くドープされたドレイン構造との間に位置する界面で、窒素とケイ素を結合させるのに十分な量の酸化窒素(NO)、アンモニア(NH3)または亜酸化窒素(N2O)のうち少なくとも1種類の雰囲気中でドレイン領域をアニールする工程とを備えたことを特徴とするホットキャリア劣化の改善されたトランジスタの製造方法。

IPC (2)：

H01L 21/265 602 ,  H01L 29/78

FI (3)：

H01L 21/265 602 A ,  H01L 29/78 301 S ,  H01L 29/78 301 F