Pat

J-GLOBAL ID：200903078430888565

薄膜形成装置及びそれを用いた化合物薄膜の形成法

Inventor： 曽根 和穗
Applicant, Patent owner： キヤノン株式会社
Agent (1)： 丸島 儀一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997275906
Publication number (International publication number)：1999106911
Application date： Oct. 08, 1997
Publication date： Apr. 20, 1999
Summary：

【要約】【課題】 緻密な薄膜を高い堆積速度で形成する。【解決手段】 基板(2)を保持する為の基板保持手段(7)と、ターゲット(1)を保持する為のターゲット保持手段(12)と、該ターゲットをスパッタリングする為のスパッタガスを反応室内に供給するガス供給手段(3)と、該ターゲットと該基板間に放電を起こす為の電力を供給する電力供給手段(8)とを備えた反応性スパッタリング装置において、ターゲットと該基板との間に複数の開孔(6a)を有する仕切り部材(6)が設けられ、該仕切り部材と基板との間の空間に光を照射する手段を具備する。

Claim (excerpt)：

基板を保持する為の基板保持手段と、原料を保持する為の原料保持手段と、該原料をスパッタリングする為のスパッタガスを反応室内に供給するスパッタガス供給手段と、反応ガスを供給する為の反応ガス供給手段と、該原料と該基板間の空間に放電を起こす為の電力を供給する電力供給手段とを備えた薄膜形成装置において、該原料と該基板との間に複数の開孔を有する仕切り部材が設けられ、該原料と該仕切り部材との間の空間に該スパッタガスを供給し、該基板と該仕切り部材との間に該反応ガスを供給するように、該スパッタガスの供給口及び該反応ガスの供給口が互いに離間して設けられ、該仕切り部材と該基板との間の空間に向けて光を照射する光照射手段を具備することを特徴とする反応性スパッタリング装置。

IPC (5)：

C23C 14/34 ,  C23C 14/54 ,  H01L 21/203 ,  H01L 21/285 ,  H01L 21/31

FI (6)：

C23C 14/34 T ,  C23C 14/34 M ,  C23C 14/54 B ,  H01L 21/203 S ,  H01L 21/285 S ,  H01L 21/31 D