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J-GLOBAL ID：200903078446768454

熱型赤外線センサ及びこれを用いたイメージセンサ

Inventor： 成井 禎
Applicant, Patent owner： 株式会社ニコン
Agent (1)： 古谷 史旺 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996267321
Publication number (International publication number)：1998111178
Application date： Oct. 08, 1996
Publication date： Apr. 28, 1998
Summary：

【要約】【課題】 マイクロブリッジ構造の熱型赤外線センサにおいて、センサ感度を高めつつ、その構造の平坦化をも図る。【解決手段】 半導体基板1上に赤外線受光部10Aが支持されたブリッジ構造の熱型赤外線センサ10において、プラチナシリサイド膜16(赤外線吸収膜)の下方に、所定膜厚の多結晶シリコン膜14を介してアルミ膜(反射膜)が形成されて赤外線吸収膜と反射膜とが所定間隔d隔てられている。この所定間隔dは以下の式に従って決定される。d=(2N-1)×λ/(4n)(nは赤外線吸収膜と反射膜との間に形成された膜の屈折率、λは検知される赤外線の波長、Nは正の整数)

Claim (excerpt)：

半導体基体上に、少なくとも赤外線吸収膜を有する赤外線受光部が脚部によって支持されたブリッジ構造の熱型赤外線センサにおいて、前記赤外線吸収膜の下方に、所定膜厚の1又は2以上の膜を介して反射膜が形成されて、前記赤外線吸収膜と該反射膜とが所定間隔隔てられていることを特徴とする熱型赤外線センサ。

IPC (3)：

G01J 5/02 ,  G01J 5/08 ,  G01J 5/20

FI (3)：

G01J 5/02 Z ,  G01J 5/08 F ,  G01J 5/20