有機薄膜トランジスタとその製造方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002299976
Publication number (International publication number)：2004134694
Application date： Oct. 15, 2002
Publication date： Apr. 30, 2004
Summary：

【課題】本発明は、水分や酸素などによる有機半導体材料の劣化のない有機薄膜トランジスタを製造することを課題とし、また初期性能を長時間維持できる長寿命の有機薄膜トランジスタの提供を課題とする。【解決手段】少なくともプラスチック基材上に、ゲート電極、ソース電極、ドレイン電極、絶縁層および有機半導体からなる活性層を含む有機薄膜トランジスタにおいて、該プラスチック基材の表面の少なくとも有機薄膜トランジスタを形成する面側にガスバリア層を形成してあることを特徴とする有機薄膜トランジスタを提供するものである。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

少なくともプラスチック基材上に、ゲート電極、ソース電極、ドレイン電極、絶縁層および有機半導体からなる活性層を含む有機薄膜トランジスタにおいて、該プラスチック基材の表面の少なくとも有機薄膜トランジスタを形成する面側にガスバリア層を形成してあることを特徴とする有機薄膜トランジスタ。

IPC (2)：

H01L29/786 , H01L51/00

FI (3)：

H01L29/78 618B , H01L29/78 626C , H01L29/28

F-Term (25)：

5F110AA05 , 5F110BB01 , 5F110BB09 , 5F110CC03 , 5F110DD01 , 5F110DD12 , 5F110DD13 , 5F110DD17 , 5F110DD18 , 5F110DD25 , 5F110DD30 , 5F110EE01 , 5F110EE02 , 5F110EE04 , 5F110EE07 , 5F110FF01 , 5F110FF27 , 5F110GG05 , 5F110GG25 , 5F110GG42 , 5F110HK01 , 5F110HK02 , 5F110HK04 , 5F110HK07 , 5F110QQ06

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (7)

基板、表示素子および表示装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-168546 Applicant：松下電器産業株式会社
熱可塑性飽和ノルボルネン系樹脂成形品及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-289496 Applicant：日本ゼオン株式会社
液晶基板および偏光フィルム
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-335915 Applicant：日本合成ゴム株式会社

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