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J-GLOBAL ID：200903078450839960

半導体多層反射膜

Inventor： 栗原 香
Applicant, Patent owner： 日本電気株式会社
Agent (1)： 内原 晋
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991212524
Publication number (International publication number)：1993055705
Application date： Aug. 26, 1991
Publication date： Mar. 05, 1993
Summary：

【要約】【目的】 半導体多層反射膜のヘテロ界面に生じるポテンシャル障壁によるキャリアの走行の阻害をなくし電気抵抗を低減する。【構成】 半導体多層膜のヘテロ界面にキャリアを波動と見たときの波長の1/2の整数倍の厚さの超格子を設けると、波の透過条件満たし進行波が強め合い電流が増加し電気抵抗を低減できる。即ち面発光レーザの半導体多層反射膜13のGaAs2とAlAs3の間に式1、2を満たすAlAs/GaAs超格子11を形成する。(2m1 |V-E|)0 . 5 /(h/2π)×L1 =mπ...(1)(2m2 E)0 . 5 /(h/2π)×L2 =nπ...(2)。ここでEはキャリアエネルギーの最大値、Vはポテンシャル障壁の高さ、m1 ,m2はキャリアの有効質量、L1 ,L2 は超格子の厚さ、hはプランク定数、m,nは整数である。半導体反射膜14についても同様に超格子12を形成する。

Claim (excerpt)：

バンドギャップエネルギーと屈折率が異なる同一導電型の2種類の半導体を、媒質内の光の波長の4分の1の厚さで交互に形成した半導体多層反射膜と、該半導体多層膜にバイアス印加する電極部を備え、半導体多層反射膜の界面に、該半導体多層膜と同一導電型で、多数キャリヤの多層膜層厚方向へのエネルギー分布の最大値をE、ポテンシャル障壁の高さをV、ワイドバンドギャップ半導体中の多数キャリヤの有効質量をm1 、ナローバンドギャップ半導体中の多数キャリヤの有効質量をm2 、hをプランク定数、m、nを任意の整数としたとき、ワイドバンドギャップ半導体の層厚L1 、ナローバンドギャップ半導体の層厚L2 が、それぞれ (2m1 |V-E|)0 . 5 /(h/2π)×L1 =mπ ...(1) (2m2 E)0 . 5 /(h/2π)×L2 =nπ ...(2)の関係を満たす超格子を有することを特徴とする半導体多層反射膜。

IPC (2)：

H01S 3/18 ,  C30B 29/68