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J-GLOBAL ID：200903078466277295

位相シフトマスク及びその製造方法

Inventor： 関根 義之
Applicant, Patent owner： キヤノン株式会社
Agent (1)： 藤元 亮輔
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001239538
Publication number (International publication number)：2003050454
Application date： Aug. 07, 2001
Publication date： Feb. 21, 2003
Summary：

【要約】【課題】 掘り込み型の位相シフトマスクにおいて、掘り込み部からの透過光と非掘り込み部からの透過光の強度を略一致させて、投影露光時のパターンのサイズ変動や位置ずれを、比較的容易に、かつ従来の掘り込み型位相シフトマスクと同程度の製造誤差で抑えることができる位相シフトマスクを提供する。【解決手段】 非掘り込み部に吸収性媒質を埋め込んで透過光強度を低減させ、像面上で掘り込み部と非掘り込み部の最大強度を略一致させるように構成した位相シフトマスクを提供する。

Claim (excerpt)：

ある波長の光に対して透明な基板上に、該波長の光を吸収する媒質が塗布され、透過光強度をほぼ0とした遮光部と、光が透過する透光部とからなり、該透光部の内、第一の透光部は第二の透光部から出射する光と位相差がほぼ180°となるよう該基板が掘り込まれている掘り込み型位相シフトマスクにおいて、第二の透光部から出射する光の強度を低減せしめることで、該位相シフトマスク上に描画されたパターンが投影露光系により投影される像面において、第一の透光部に対応する位置の光強度の最大値と第二の透光部に対応する位置の光強度の最大値を略一致させることを特徴とする位相シフトマスク。

IPC (3)：

G03F 1/08 ,  G03F 7/20 521 ,  H01L 21/027

FI (4)：

G03F 1/08 A ,  G03F 1/08 S ,  G03F 7/20 521 ,  H01L 21/30 502 P

F-Term (8)：

2H095BB02 ,  2H095BB03 ,  2H095BB32 ,  2H095BB33 ,  2H095BB35 ,  2H095BC24 ,  2H095BC28 ,  2H095BD02