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J-GLOBAL ID：200903078468359400
縦型電界効果トランジスタ
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
鈴木 章夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991240316
Publication number (International publication number)：1993055594
Application date： Aug. 28, 1991
Publication date： Mar. 05, 1993
Summary：
【要約】【目的】 縦型電界効果トランジスタにおける寄生トランジスタのターンオンをし難くして縦型電界効果トランジスタのサージ耐量を改善する。【構成】 半導体基体(基板1、エピタキシャル層2)にベース領域4を有し、このベース領域4にソース領域5を有する縦型電界効果トランジスタにおいて、ベース領域4中の少なくともソース領域5の下側に高酸素濃度領域(例えば、酸化膜11)を設け、ソース領域5、ベース領域4、エピタキシャル層2からなる寄生トランジスタのベース電流を遮断し、寄生トランジスタのターンオンをし難くする。
Claim (excerpt)：
半導体基体にベース領域を有し、このベース領域にソース領域を有する縦型電界効果トランジスタにおいて、前記ベース領域中の少なくともソース領域の下側に高酸素濃度領域を有することを特徴とする縦型電界効果トランジスタ。
IPC (2)：
H01L 29/784
, H01L 27/08 331
