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J-GLOBAL ID：200903078471636163

半導体メモリ及びその製造方法

Inventor： 山手 正浩 ,  小林 康孝
Applicant, Patent owner： 沖電気工業株式会社
Agent (1)： 萩原 康司 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997249344
Publication number (International publication number)：1999074480
Application date： Aug. 29, 1997
Publication date： Mar. 16, 1999
Summary：

【要約】【課題】 熱処理工程の際にビット線が移動する心配の無い半導体メモリ及びその製造方法を提供する。【解決手段】 半導体基板1の表面に形成されたメモリセルにデータを入出力させるためのビット線10を備えた半導体メモリにおいて,ビット線10の配線方向に沿って伸びる溝19が酸化膜18に形成され,この溝19に係合させてビット線10が配置されている。溝19に係合してビット線10が配置されているので,酸化膜18に対してビット線10はしっかりと固定された状態となる。このため,ビット線10の側面に応力が加わっても,移動しない。

Claim (excerpt)：

半導体基板の表面に形成されたメモリセルにデータを入出力させるためのビット線を備えた半導体メモリにおいて,前記ビット線の配線方向に沿って伸びる溝が半導体基板に積層された酸化膜に形成され,該溝に係合させてビット線が配置されていることを特徴とする半導体メモリ。

IPC (3)：

H01L 27/108 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 21/3205

FI (2)：

H01L 27/10 681 B ,  H01L 21/88 B