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J-GLOBAL ID：200903078475480800

電力増幅用電界効果型半導体装置

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：作田康夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001305929
Publication number (International publication number)：2003110102
Application date： Oct. 02, 2001
Publication date： Apr. 11, 2003
Summary：

【要約】【課題】 Si系電界効果型トランジスタに比べてより低いチャネルコンダクタンス、ひいては高い遮断周波数と付加効率を有する電力増幅用電界効果型半導体装置を提供する。【解決手段】第1導電型のSi基板上に第1導電型で高不純物濃度の第1SiGe層、第1導電型で低不純物濃度の第2SiGe層、低不純物濃度のSi層がこの順に積層された半導体積層構造の、前記Si層の一部にチャネルが形成され、前記ソース電極は前記低不純物濃度の第2SiGe層を貫通して前記高不純物濃度の第1SiGe層ないしは基板に電気的接触をなす。【効果】高速かつ高効率の電力増幅用電界効果型半導体装置を実現できる。

Claim (excerpt)：

第1導電型のSi基板一主面上に第1導電型で比較的高不純物濃度の第1SiGe層と、第1導電型で比較的低不純物濃度の第2SiGe層と、第1導電型で比較的低不純物濃度のSi層とが順次積層された半導体積層構造を具備し、前記半導体積層構造の主面上にゲート絶縁膜を介してゲート電極を有し、前記ゲート電極下のチャネル形成領域となるSi層を挟むように、前記第2SiGe層内に第2導電型のソース領域及びドレイン領域が形成され、前記ソース領域に電気的に接続されたリーチスルー層が前記第1SiGe層に到達するように前記第2SiGe層を貫通して形成されていることを特徴とする電力増幅用電界効果型半導体装置。

IPC (5)：

H01L 29/78 , H01L 21/8234 , H01L 21/8238 , H01L 27/088 , H01L 27/092

FI (4)：

H01L 29/78 301 B , H01L 29/78 301 H , H01L 27/08 102 B , H01L 27/08 321 C

F-Term (65)：

5F048AA08 , 5F048AC01 , 5F048AC03 , 5F048AC06 , 5F048BA04 , 5F048BA10 , 5F048BA14 , 5F048BC07 , 5F048BC12 , 5F048BD01 , 5F048BD04 , 5F048BF01 , 5F048BF06 , 5F048BF07 , 5F048BF17 , 5F048BG13 , 5F140AA05 , 5F140AA25 , 5F140AB01 , 5F140AB04 , 5F140AC01 , 5F140AC28 , 5F140BA01 , 5F140BA05 , 5F140BB06 , 5F140BB11 , 5F140BC06 , 5F140BC12 , 5F140BC13 , 5F140BC17 , 5F140BD09 , 5F140BD18 , 5F140BE06 , 5F140BF04 , 5F140BF11 , 5F140BF18 , 5F140BF53 , 5F140BF60 , 5F140BG28 , 5F140BG38 , 5F140BH03 , 5F140BH14 , 5F140BH17 , 5F140BH30 , 5F140BH33 , 5F140BH34 , 5F140BH39 , 5F140BH43 , 5F140BH47 , 5F140BJ01 , 5F140BJ05 , 5F140BJ07 , 5F140BJ27 , 5F140BK13 , 5F140BK22 , 5F140BK26 , 5F140CA02 , 5F140CA03 , 5F140CB04 , 5F140CB08 , 5F140CC03 , 5F140CC12 , 5F140CC15 , 5F140CF00 , 5F140CF05

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

半導体装置及び半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-145533 Applicant：ソニー株式会社

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