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J-GLOBAL ID:200903078476530126
半導体装置の製造方法及びそれに用いるダイシング治具
Inventor:
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Applicant, Patent owner:
Agent (1):
鈴江 武彦
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1995051458
Publication number (International publication number):1996250454
Application date: Mar. 10, 1995
Publication date: Sep. 27, 1996
Summary:
【要約】【目的】 本発明は、半導体ウェハの表面に可動部や突起物を有する機能素子を備える半導体装置を効率的にダイシングカットするようにした半導体装置の製造方法及びそれに用いるダイシング治具を提供する。【構成】 本発明によると、前記可動部または突起部と対向する領域に凹部及び該凹部の形成領域内または領域外に真空チャック用の貫通孔が形成されたダイシング治具を用いて前記半導体ウェハをダイシングカットすることを特徴とする半導体装置の製造方法が提供される。また、本発明によると、前記半導体ウェハの可動部または突起部と対向する部分に形成されるもので、前記可動部または前記突起部を保護する凹部と、該凹部の形成領域内または領域外に形成されるもので、ダイシング装置の真空チャックステージからのバキューム吸引により前記半導体ウェハを固定する貫通孔とを有するダイシング治具が提供される。
Claim (excerpt):
半導体基板の表面に可動部または突起部を有する機能素子を備える半導体装置の製造方法において、前記可動部または突起部と対向する領域に凹部及び該凹部の形成領域内または領域外に真空チャック用の貫通孔が形成されたダイシング治具を用いて半導体ウェハをダイシングカットすることを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (3):
H01L 21/301
, H01L 21/768
, H01L 29/84
FI (4):
H01L 21/78 M
, H01L 29/84 Z
, H01L 21/78 Q
, H01L 21/90 Z
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (6)
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