半導体発光素子及びその製造方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：舘野公一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995270484
Publication number (International publication number)：1997092878
Application date： Sep. 25, 1995
Publication date： Apr. 04, 1997
Summary：

【要約】【課題】発光した光の外部取り出し効率の高い半導体発光素子、及びその製造方法を提供する。【解決手段】 p型GaAs基板1上に、AlGaAsダブルヘテロ接合構造層2を堆積して積層体3とする。n型AlGaAsクラッド層2cの表面に、フォトリソグラフィーとエッチングにより略球面形状の凹部4を複数形成し積層体5とする。積層体5をアンモニア・過酸化水素水溶液に浸漬して、基板1を溶解除去することにより複合エピタキシャル層体6とする。複合エピタキシャル層体6の両面にそれぞれ電極7及び8を形成した後、ダイシングにより分割して半導体発光素子ペレット10を得る。このペレット10を用いて半導体発光素子を作製する。

Claim (excerpt)：

半導体発光素子ペレットの下面(支持体固着面)を単数または複数の略球面形状の凹部を有する面にしたことを特徴とする半導体発光素子。

IPC (2)：

H01L 33/00 , H01L 21/306

FI (2)：

H01L 33/00 A , H01L 21/306 A

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (12)

特開平1-137679
特開平1-137679
特開平3-024771

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