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J-GLOBAL ID：200903078484503170

薄膜半導体素子

Inventor： 櫛田 知義
Applicant, Patent owner： トヨタ自動車株式会社
Agent (4)： 岡田 英彦 ,  福田 鉄男 ,  犬飼 達彦 ,  石岡 隆
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003333443
Publication number (International publication number)：2004048058
Application date： Sep. 25, 2003
Publication date： Feb. 12, 2004
Summary：

【課題】 薄膜の静電誘導トランジスタで耐圧を高くとれるようにする。【解決手段】 絶縁性支持基板中に、第1導電型薄膜半導体層を形成し、その主表面内において順に第1導電型のソース領域、第2導電型のゲート領域、第1導電型のドレイン領域を形成する。ゲート領域を複数箇所に設ける。そのため、膜厚ではなく、ドレイン領域とゲート領域間の距離によって耐圧特性が調整できるので、薄い膜厚で高い耐圧を得ることができる。【選択図】 図1

Claim (excerpt)：

絶縁性支持基板に形成された薄膜状の第1導電型半導体層を備え、 前記半導体層の主表面内における中間部位において第2導電型のゲート領域が形成されており、 前記半導体層の主表面内で前記ゲート領域を挟んで対向する部位において、第1導電型のソース領域とドレイン領域が形成されていることを特徴とする薄膜半導体素子。

IPC (6)：

H01L29/80 ,  H01L21/06 ,  H01L21/8232 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/08 ,  H01L27/088

FI (4)：

H01L29/80 S ,  H01L27/08 331E ,  H01L27/06 F ,  H01L27/08 102A

F-Term (22)：

5F048AA05 ,  5F048AC09 ,  5F048BA16 ,  5F048BC16 ,  5F048BF16 ,  5F048BG05 ,  5F102FA01 ,  5F102FA05 ,  5F102FB01 ,  5F102GA01 ,  5F102GA05 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GC02 ,  5F102GD01 ,  5F102GD04 ,  5F102GJ03 ,  5F102GJ10 ,  5F102GL03 ,  5F102GR13 ,  5F102GS03 ,  5F102GS07

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

• 特開昭62-174977号公報
  

Cited by examiner (2)

• 特開平4-130669
  
• 特開昭54-133081