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J-GLOBAL ID：200903078497185275
薄膜トランジスタ用の膜形成方法
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
谷川 昌夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992019195
Publication number (International publication number)：1993218003
Application date： Feb. 04, 1992
Publication date： Aug. 27, 1993
Summary：
【要約】【目的】 薄膜トランジスタ(TFT)用のシリコン半導体膜及びこれに接するゲート絶縁膜の界面の平坦度を向上させ、それによってTFTにおけるソース・ドレイン間の電子移動度を大きくさせ得るプラズマCVD法による薄膜トランジスタ用の膜形成方法を提供する。【構成】 薄膜トランジスタ用のシリコン半導体膜及びゲート絶縁膜をプラズマCVD法により形成し、前記各膜形成のための原料ガスのプラズマ化を、パルス変調をかけた高周波電力の印加により行う薄膜トランジスタ用の膜形成方法。
Claim (excerpt)：
薄膜トランジスタ用のシリコン半導体膜及びゲート絶縁膜をプラズマCVD法により形成し、前記それぞれの膜形成にあたり該膜形成のための原料ガスのプラズマ化を、パルス変調をかけた高周波電力の印加により行うことを特徴とする薄膜トランジスタ用の膜形成方法。
IPC (3)：
H01L 21/31
, C23C 16/44
, H01L 21/205
