Pat

J-GLOBAL ID：200903078505024456

半導体製造装置

Inventor： 鈴木 敬史 ,  笹部 俊二 ,  山田 孝
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 筒井 大和
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996337825
Publication number (International publication number)：1998177989
Application date： Dec. 18, 1996
Publication date： Jun. 30, 1998
Summary：

【要約】【課題】 半導体集積回路の微細加工に有効な規制ガス、危険ガスを使用可能にする。【解決手段】 処理ガスを導入して半導体ウェハに所定の処理を施す処理チャンバ1と、原料ガスの貯蔵されたガス貯留部2a〜2eと、ガス貯留部2a〜2eと処理チャンバ1とを連通するガス供給配管3と、ガス供給配管3の途中に設けられ、導入された原料ガスと常温常圧で個体である反応物質とを反応活性化手段を用いて化学反応させて処理ガスを生成する処理ガス生成部5とを有する半導体製造装置とする。そして、処理ガス生成部5で原料ガスから処理ガスを生成し、この処理ガスを処理チャンバ1内に供給する。

Claim (excerpt)：

処理ガスを導入して半導体ウェハに所定の処理を施す処理チャンバと、原料ガスの貯蔵されたガス貯留部と、前記ガス貯留部と前記処理チャンバとを連通するガス供給配管と、前記ガス供給配管の途中に設けられ、導入された前記原料ガスと常温常圧で個体である反応物質とを反応活性化手段を用いて化学反応させて前記処理ガスを生成する処理ガス生成部とを有し、前記処理ガス生成部で前記原料ガスから前記処理ガスを生成し、この処理ガスを前記処理チャンバ内に供給することを特徴とする半導体製造装置。