半導体装置の製造方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：山口邦夫 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992346899
Publication number (International publication number)：1994196570
Application date： Dec. 25, 1992
Publication date： Jul. 15, 1994
Summary：

【要約】【目的】Al等の配線が均一な膜厚を有するように平坦することのできる構造を有する半導体装置の製造方法を提供する。【構成】半導体基板1上または上方に層間絶縁膜2を形成する工程と、配線形成領域のうち広い配線形成領域内において島状に上記層間絶縁膜2の一部を研磨ストッパー12として残存するように、前記層間絶縁膜2をパターニングし溝部4を形成する工程と、コンタクトホール部8を形成する工程と、上記半導体基板1上方全面にTi膜9およびAl-Si膜10を形成する工程と、上記Al-Si膜10およびTi膜9を研磨し、上記溝部4およびコンタクトホール部8に平坦なTi膜9aとAl-Si膜10aからなる金属配線を形成する工程とを含む。

Claim (excerpt)：

半導体基板上または上方に形成され、溝を有する第1材料膜と、該第1材料膜の溝部に平坦に埋め込まれた第2材料膜とを有する半導体装置の製造方法において、前記半導体基板上または上方に第1材料膜を形成する工程と、所定の前記溝部内において前記第1材料膜の一部を島状に、研磨ストッパーとして残存するように、前記第1材料膜をパターニングし前記溝部を形成する工程と、前記半導体基板上方全面に第2材料膜を形成する工程と、前記第2材料膜を研磨し平坦化する工程とを、含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3)：

H01L 21/90 , H01L 21/304 321 , H01L 21/3205

FI (2)：

H01L 21/88 N , H01L 21/88 K

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

特開平2-028925
特開平4-264728
特開平4-229638

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