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J-GLOBAL ID：200903078521323110

プラズマエッチング装置およびエッチングの方法

Inventor：
本間 孝治

About 本間 孝治


Applicant, Patent owner：
株式会社ケミトロニクス

About 株式会社ケミトロニクス


Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998358365
Publication number (International publication number)：2000150484
Application date： Nov. 11, 1998
Publication date： May. 30, 2000
Summary：
【要約】【課題】従来の研磨あるいは研削では加工歪みのため歩留りが低く、試料を極端に薄くできなかったが、本発明では加工歪みの残らない高速ドライエッチング処理により極めて薄い均一な厚さの半導体ウエーハの加工装置を提供して、放熱特性の優れたペレットを高歩留りで安価に供給することを目的としている。【解決手段】プラズマによる活性種ガスをエッチングノズルからビーム状に試料表面にあて、加工歪みを残さずに局部的にエッチングする。エッチングノズルの形状とこの周辺に排気ヘッドや送気ノズルを付加した構成により試料を移動させながら高速エッチレートで加工する。【効果】エッチングノズルの形状とこの周辺に配備した排気ヘッドおよび送気ガスの構成により均一でかつ高速の半導体ウエーハのエッチングが短時間でできるようになった。本発明の装置により半導体ウエーハの裏面を薄層加工する方法では結晶に加工歪みがないので、極めて薄い厚さまで高歩留りで形成することができ、特に割れやすい化合物半導体の裏面加工に有効であることがわかった。
Claim (excerpt)：
試料の表面および裏面をドライエッチングにより平坦化あるいは薄層化する加工において、プラズマ室で発生した活性種ガスを活性種ガス供給管で導き、エッチングノズルの先端からこのビームを試料に当てて、部分的にエッチングし、試料を移動させながら、試料全面にわたって所望の加工を行う装置であって、上記、エッチングノズルにはビーム整形部あるいはビーム整形部とビーム調整部品を具備して構成されていることを特徴としたプラズマエッチング装置。
IPC (2)：
H01L 21/3065 ,  C23F 4/00
FI (2)：
H01L 21/302 H ,  C23F 4/00 A
F-Term (45)：
4K057DA02 ,  4K057DA20 ,  4K057DB06 ,  4K057DB20 ,  4K057DD05 ,  4K057DE01 ,  4K057DE02 ,  4K057DE04 ,  4K057DE06 ,  4K057DE07 ,  4K057DE08 ,  4K057DE09 ,  4K057DE11 ,  4K057DE14 ,  4K057DM13 ,  4K057DM29 ,  4K057DM37 ,  4K057DM38 ,  4K057DN01 ,  5F004AA01 ,  5F004AA16 ,  5F004BA03 ,  5F004BB11 ,  5F004BB18 ,  5F004BB24 ,  5F004BB28 ,  5F004DA00 ,  5F004DA01 ,  5F004DA02 ,  5F004DA04 ,  5F004DA05 ,  5F004DA10 ,  5F004DA11 ,  5F004DA13 ,  5F004DA17 ,  5F004DA18 ,  5F004DA22 ,  5F004DA23 ,  5F004DA24 ,  5F004DA25 ,  5F004DA29 ,  5F004DB01 ,  5F004DB19 ,  5F004DB20 ,  5F004DB22
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (4)
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