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J-GLOBAL ID：200903078526328137

炭素ナノチューブ配線の形成方法及びこれを用いる半導体素子配線の形成方法

Inventor： 李 善雨 ,  呂 寅碩 ,  李 ▲ジュン▼泳 ,  金 重鉉 ,  尹 洪植 ,  邊 ▲キュン▼來
Applicant, Patent owner： 三星電子株式会社
Agent (4)： 志賀 正武 ,  渡邊 隆 ,  村山 靖彦 ,  実広 信哉
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2007247337
Publication number (International publication number)：2008085336
Application date： Sep. 25, 2007
Publication date： Apr. 10, 2008
Summary：

【課題】界面破壊現象が発生しない炭素ナノチューブ配線の形成方法及びこれを利用した半導体素子配線の形成方法が開示されている。【解決手段】基板上に酸化金属膜を形成した後、前記酸化金属膜上に前記酸化金属膜の表面を露出させる開口を含む絶縁膜パターンを形成する。前記開口に露出された前記酸化金属膜を炭素ナノチューブの成長が可能な触媒金属膜パターンに形成する。前記触媒金属膜パターンから炭素ナノチューブを成長させて炭素ナノチューブ配線を形成する。前述した炭素ナノチューブ配線の形成方法は、前記絶縁膜パターンと触媒金属膜パターンとの間で炭素ナノチューブが成長する現象を防止することができる。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

基板上に酸化金属膜を形成する段階と、 前記酸化金属膜上に前記酸化金属膜の表面を露出させる開口を含む絶縁膜パターンを形成する段階と、 前記開口に露出された前記酸化金属膜を炭素ナノチューブが成長される触媒金属膜パターンに形成する段階と、 前記触媒金属膜パターンから炭素ナノチューブを成長させて前記開口内に炭素ナノチューブ配線を形成する段階と、を含むことを特徴とする炭素ナノチューブ配線の形成方法。

IPC (11)：

H01L 21/320 ,  H01L 23/52 ,  H01L 21/768 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/285 ,  H01L 27/105 ,  C23C 14/14 ,  C23C 14/16 ,  C23C 14/08 ,  C23C 16/40 ,  C23C 16/06

FI (12)：

H01L21/88 M ,  H01L21/90 A ,  H01L21/28 301Z ,  H01L21/285 C ,  H01L21/28 A ,  H01L27/10 448 ,  C23C14/14 D ,  C23C14/16 Z ,  C23C14/08 J ,  C23C14/08 K ,  C23C16/40 ,  C23C16/06

F-Term (108)：

4K029AA00 ,  4K029AA02 ,  4K029AA04 ,  4K029AA06 ,  4K029AA08 ,  4K029BA02 ,  4K029BA06 ,  4K029BA09 ,  4K029BA12 ,  4K029BA24 ,  4K029BA25 ,  4K029BA26 ,  4K029BA43 ,  4K029BD02 ,  4K029EA05 ,  4K029EA08 ,  4K029GA00 ,  4K030BA05 ,  4K030BA07 ,  4K030BA14 ,  4K030BA42 ,  4K030DA08 ,  4K030DA09 ,  4K030HA03 ,  4K030JA06 ,  4K030JA10 ,  4K030LA02 ,  4K030LA11 ,  4K030LA15 ,  4M104AA01 ,  4M104BB02 ,  4M104BB04 ,  4M104BB05 ,  4M104BB36 ,  4M104DD16 ,  4M104DD19 ,  4M104DD22 ,  4M104DD28 ,  4M104DD43 ,  4M104DD45 ,  4M104DD46 ,  4M104FF21 ,  4M104GG16 ,  4M104HH01 ,  4M104HH05 ,  5F033HH08 ,  5F033HH11 ,  5F033HH18 ,  5F033HH19 ,  5F033HH21 ,  5F033HH33 ,  5F033JJ08 ,  5F033JJ10 ,  5F033JJ17 ,  5F033JJ18 ,  5F033JJ19 ,  5F033JJ20 ,  5F033JJ21 ,  5F033JJ26 ,  5F033JJ27 ,  5F033JJ28 ,  5F033JJ29 ,  5F033JJ30 ,  5F033JJ32 ,  5F033JJ33 ,  5F033JJ36 ,  5F033KK07 ,  5F033KK08 ,  5F033KK11 ,  5F033KK15 ,  5F033KK16 ,  5F033KK18 ,  5F033KK19 ,  5F033KK21 ,  5F033KK33 ,  5F033KK35 ,  5F033KK36 ,  5F033PP02 ,  5F033PP06 ,  5F033PP09 ,  5F033PP12 ,  5F033PP14 ,  5F033QQ00 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ48 ,  5F033QQ73 ,  5F033QQ76 ,  5F033RR04 ,  5F033RR09 ,  5F033RR14 ,  5F033RR15 ,  5F033SS04 ,  5F033SS11 ,  5F033SS15 ,  5F033SS22 ,  5F033SS26 ,  5F033SS27 ,  5F033VV16 ,  5F033WW02 ,  5F033WW03 ,  5F033XX05 ,  5F033XX28 ,  5F083FZ10 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083JA60 ,  5F083PR21

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

• 米国特許第7,060,543号明細書