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J-GLOBAL ID:200903078565324513

排ガス処理装置

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 久保田 耕平 (外8名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1994243985
Publication number (International publication number):1996105317
Application date: Oct. 07, 1994
Publication date: Apr. 23, 1996
Summary:
【要約】【目的】大気圧下での低温プラズマにより排ガス中のNOX およびパーティキュレートを安定かつ効果的に低減させる。【構成】高電気伝導性材料からなる基板層1と、セラミック材料からなる電子絶縁層2と、耐熱性の高電気伝導性材料からなる電極3とを積層して構成され、前記基板層および電極間に交流電源5を接続し、大気圧下での低温プラズマにより排ガス中の残存酸素を励起させ、励起種とパーティキュレートの反応によるにCO2化と励起種によるNOX の分解を行う。
Claim (excerpt):
高電気伝導性材料からなる基板層と、セラミック材料からなる電子絶縁層と、耐熱性の高電気伝導性材料からなる電極とを積層して構成され、前記基板層および電極間に交流電源を接続し、大気圧下での低温プラズマにより排ガス中の残存酸素を励起させ、励起種とパーティキュレートの反応によるにCO2化と励起種によるNOX の分解を行うことを特徴とする排ガス処理装置。
IPC (5):
F01N 3/08 ZAB ,  F01N 3/08 ,  B01D 53/56 ,  B01D 53/74 ,  F01N 3/02 301

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