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J-GLOBAL ID:200903078569198539

イオン伝導体の製造方法および二次電池の製造方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (2): 西山 恵三 ,  内尾 裕一
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2003155136
Publication number (International publication number):2004356044
Application date: May. 30, 2003
Publication date: Dec. 16, 2004
Summary:
【課題】イオン伝導体の高分子骨格の配向性をさらに高めることにより、低コストで簡便な方法で作製できる高イオン伝導性であり機械的強度に優れたイオン伝導体及び高容量でサイクル寿命の良好な性能を持つ二次電池の製造方法を提供する。【解決手段】主として少なくとも一種類の高分子化合物と少なくとも一種類の電解質とで構成され、イオン伝導性に異方性を有するイオン伝導体の製造方法であって、少なくとも一種類のモノマーと少なくとも一種類の電解質とを含有するポリマー前駆体の重合反応によってイオン伝導体を形成する重合工程を有し、該重合工程において、前記重合反応の際前記ポリマー前駆体を、該前駆体中の前記モノマーが配向性を示す温度以下の温度に保温することを特徴とするイオン伝導体の製造方法。【選択図】 なし
Claim (excerpt):
主として少なくとも一種類の高分子化合物と少なくとも一種類の電解質とで構成され、イオン伝導性に異方性を有するイオン伝導体の製造方法であって、少なくとも一種類のモノマーと少なくとも一種類の電解質とを含有するポリマー前駆体の重合反応によってイオン伝導体を形成する重合工程を有し、該重合工程において、前記重合反応の際前記ポリマー前駆体を、該前駆体中の前記モノマーが配向性を示す温度以下の温度に保温することを特徴とするイオン伝導体の製造方法。
IPC (5):
H01B13/00 ,  C08F2/00 ,  C08F2/44 ,  C08F290/06 ,  H01M10/40
FI (5):
H01B13/00 Z ,  C08F2/00 C ,  C08F2/44 A ,  C08F290/06 ,  H01M10/40 B
F-Term (64):
4J011AA05 ,  4J011AC04 ,  4J011BA03 ,  4J011CA02 ,  4J011CA08 ,  4J011CC10 ,  4J011FA07 ,  4J011FB01 ,  4J011PA02 ,  4J011PA06 ,  4J011PA09 ,  4J011PA14 ,  4J011PA22 ,  4J011PA48 ,  4J011PA49 ,  4J011PB27 ,  4J011PC02 ,  4J011PC08 ,  4J011QA03 ,  4J011QA13 ,  4J011QA22 ,  4J011QB16 ,  4J011UA01 ,  4J011VA01 ,  4J011WA10 ,  4J027AC01 ,  4J027AC02 ,  4J027BA02 ,  4J027BA07 ,  4J027BA19 ,  4J027BA24 ,  4J027BA26 ,  4J027BA27 ,  4J027BA28 ,  4J027CA11 ,  4J027CA16 ,  4J027CA17 ,  4J027CA26 ,  4J027CA28 ,  4J027CA33 ,  4J027CB10 ,  4J027CC03 ,  4J027CC05 ,  4J027CD00 ,  5G301CA30 ,  5G301CD01 ,  5G301CE01 ,  5H029AJ03 ,  5H029AJ05 ,  5H029AJ06 ,  5H029AK02 ,  5H029AK03 ,  5H029AK05 ,  5H029AL01 ,  5H029AL04 ,  5H029AL06 ,  5H029AL12 ,  5H029AM12 ,  5H029BJ03 ,  5H029BJ12 ,  5H029CJ02 ,  5H029CJ11 ,  5H029HJ02 ,  5H029HJ11

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