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J-GLOBAL ID：200903078570065275

半導体装置およびその製造方法

Inventor： 松本 信一 ,  加藤 和利
Applicant, Patent owner： 日本電信電話株式会社
Agent (1)： 山川 政樹
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991285471
Publication number (International publication number)：1993102615
Application date： Oct. 07, 1991
Publication date： Apr. 23, 1993
Summary：

【要約】【目的】 複数の電極を有する半導体装置において、素子間の分離抵抗を十分に確保する。【構成】 メサストライプ13,16に沿って2つのp型電極11,18を有し、このp型電極11,18をその上に有するメサストライプ13,16内の半導体層の少なくとも一部が素子間分離膜としての絶縁性薄膜であるSiO2膜10によって分離されている。

Claim (excerpt)：

半導体基板上に活性層および導波層の少なくとも一方を含み、ストライプ状に形成されたメサストライプを有する半導体装置において、前記メサストライプに沿って少なくとも2つの電極を有し、前記電極をその上に備えるメサストライプ内の半導体層の少なくとも一部が絶縁性薄膜によって分離され、前記活性層または導波層のいずれも前記絶縁性薄膜によって分離されていないことを特徴とする半導体装置。

IPC (4)：

H01S 3/18 ,  H01L 21/76 ,  H01L 27/15 ,  H01L 33/00

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開平3-161980
  
• 特開平1-319986
  
• 特開昭63-120487