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J-GLOBAL ID:200903078591721695
半導体発光素子およびその製造方法
Inventor:
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Applicant, Patent owner:
Agent (1):
山本 秀策
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1992204027
Publication number (International publication number):1994053549
Application date: Jul. 30, 1992
Publication date: Feb. 25, 1994
Summary:
【要約】 (修正有)【目的】 多色発光可能で、かつ、高輝度、高精細のフラットパネルディスプレイを作製し得る半導体発光素子およびその製造方法を提供する。【構成】 基板1上にpn接合された発光部を有するInxGa1-xN(0≦x≦1)からなる半導体層3,4が複数積層形成された半導体発光素子において、各半導体層の間にAlN層またはGaN層を有するバッファ層2が介装されているので、その上方または下方の半導体層には格子歪みが生じにくい。また、各半導体層の発光部が露出されている。つまり、各発光部は重ならず独立して存在する。よって、各半導体層の発光を分離制御できる。
Claim (excerpt):
基板上にpn接合された発光部を有するInxGa1-xN(0≦x≦1)からなる半導体層が複数積層形成され、各半導体層の間にバッファ層が介装され、さらに各半導体層の発光部の上方が、上に形成された半導体層の一部の欠落により露出されている半導体発光素子。
Patent cited by the Patent:
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