Pat

J-GLOBAL ID：200903078613182769

磁気抵抗効果素子並びにそれを用いた磁気ヘッド及び磁気記録再生装置

Inventor： 中谷 亮一 ,  濱川 佳弘
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 平木 祐輔
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993146357
Publication number (International publication number)：1995006329
Application date： Jun. 17, 1993
Publication date： Jan. 10, 1995
Summary：

【要約】【目的】 多層膜を用いることによって、初めて可能になる狭トラック磁気抵抗効果素子の構造を提供する。【構成】 磁気抵抗効果材料として、1層の磁性層15に反強磁性層16からの交換バイアス磁界を印加し、他の磁性層13には直接的には、反強磁性層からの交換バイアス磁界を印加しない多層膜を用い、反強磁性層16からの交換バイアス磁界を印加しない磁性層13のトラック幅方向の長さ19を短くした。【効果】 オフトラック特性に優れ、高いトラック密度の磁気記録再生が可能になる。また、多層膜を用いているため、従来のパーマロイ単層膜を用いた磁気抵抗効果素子よりも約3倍高い出力が得られる。

Claim (excerpt)：

非磁性層によって分離された少なくとも2層の磁性層及び前記磁性層のいずれかに隣接し該隣接する磁性層に交換バイアス磁界を印加する少なくとも1層の反強磁性層を含む多層膜と、前記多層膜に設けられた一対の電極とからなる多層磁気抵抗効果素子において、反強磁性層に隣接していない磁性層の前記電極の間隔方向の長さが、反強磁性層に隣接している磁性層の前記方向の長さよりも短いことを特徴とする多層磁気抵抗効果素子。

IPC (2)：

G11B 5/39 ,  H01L 43/08