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J-GLOBAL ID：200903078622839975
半導体記憶装置
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
富田 和子
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994042581
Publication number (International publication number)：1995253929
Application date： Mar. 14, 1994
Publication date： Oct. 03, 1995
Summary：
【要約】【目的】3.5インチ、2.5インチ、1.8インチ型ハードディスク装置と同程度に小型化することが可能な半導体記憶装置を提供する。【構成】揮発性のキャッシュメモリ3は、メインフラッシュメモリ2が記憶するデータを一時的に記憶し、メインフラッシュメモリ2よりも少ない記憶容量を有する。データ制御回路4は、フラッシュメモリ2、キャッシュメモリ3、および外部の情報処理装置間のデータの入出力を制御する。制御部4は、情報処理装置との間で、固定長ブロックフォーマットに従って、データの入出力を行う。交替フラッシュメモリ5は、フラッシュメモリ2に障害が発生した場合、フラッシュメモリ2の代替として、データを記憶する。
Claim (excerpt)：
外部の情報処理装置との間でデータの入出力を行い、上記データを記憶するための、電気的に書き換え可能な不揮発性半導体メモリを有する半導体記憶装置であって、上記データを一時的に記憶し、上記不揮発性半導体メモリよりも少ない記憶容量を有するキャッシュ用揮発性メモリと、上記不揮発性半導体メモリ、上記キャッシュ用揮発性メモリ、および上記情報処理装置間のデータの入出力を制御する制御部とを有し、上記制御部は、上記情報処理装置との間で、固定長ブロックフォーマットに従って、データの入出力を行うことを特徴とする半導体記憶装置。
IPC (2)：
G06F 12/08 310
, G11C 16/06
