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J-GLOBAL ID:200903078645295468

多層配線構造の不良解析方法および不良解析装置

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (3): 岩橋 文雄 ,  坂口 智康 ,  内藤 浩樹
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2004301577
Publication number (International publication number):2005142552
Application date: Oct. 15, 2004
Publication date: Jun. 02, 2005
Summary:
【課題】工程毎に蓄積された大量の画像データから、性能に影響する不良要因を分析し、表示する多層配線構造の不良解析方法を提供する。【解決手段】カメラ2a、2b、2cを用いて工程毎に回路基板1a、1b、1cを撮影し、その工程別画像3a、3b、3cを記憶手段5に格納するステップと、回路基板8を検査し、良品と不良品とに分別するステップと、検査で良品と判定された製品の工程別画像は良品画像とし、不良品と判定された製品の工程別画像は不良品画像として製造工程毎に良品画像集合11a、11b、11cと不良品画像集合12a、12b、12cを生成し、記憶手段5に格納するステップとを有するもので、検査の結果に対応させて画像を抽出し、観察することによって効率よく不良解析を進めることができる。【選択図】図2
Claim (excerpt):
多層配線構造の配線層の形成工程毎に前記多層配線構造の主面を撮影し、工程別画像を記憶手段に格納するステップと、 前記多層配線構造の製品を検査し、良品と不良品とに分別するステップと、 検査で良品と判定された製品の前記工程別画像は良品画像とし、不良品と判定された製品の前記工程別画像は不良品画像として前記配線層の形成工程毎に良品画像集合と不良品画像集合を生成し、前記記憶手段に格納するステップと、 前記良品画像集合または前記不良品画像集合から画像を抽出し表示装置に表示するステップと、 前記表示装置に表示された画像を観察して不良解析を行うステップとを有する多層配線構造の不良解析方法。
IPC (4):
H05K3/46 ,  G06T1/00 ,  G06T7/00 ,  H05K3/00
FI (4):
H05K3/46 W ,  G06T1/00 305A ,  G06T7/00 300F ,  H05K3/00 Q
F-Term (20):
5B057AA03 ,  5B057CA12 ,  5B057CB12 ,  5B057CH01 ,  5B057CH11 ,  5B057DA03 ,  5B057DB02 ,  5B057DC33 ,  5E346GG31 ,  5L096AA06 ,  5L096BA03 ,  5L096CA02 ,  5L096FA04 ,  5L096FA14 ,  5L096FA32 ,  5L096FA33 ,  5L096FA52 ,  5L096FA59 ,  5L096JA11 ,  5L096KA04
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (3)

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