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J-GLOBAL ID:200903078655252830
圧電/電歪膜型素子
Inventor:
,
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
中島 三千雄 (外2名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1991203831
Publication number (International publication number):1993029675
Application date: Jul. 18, 1991
Publication date: Feb. 05, 1993
Summary:
【要約】【目的】 低作動電圧で大変位が得られ、また信頼性が高く、応答速度が早く、且つ発生力が大きい、更に高集積化が可能である、インクジェットプリントヘッド、マイクロホン、発音体(スピーカー等)、各種振動子等のアクチュエータやセンサー等に好適に用いられる、強度に優れた圧電/電歪膜型素子を提供する。【構成】 薄肉のセラミック基板と、該セラミック基板上に設けられた、電極及び圧電/電歪層からなる圧電/電歪作動部とを備えた圧電/電歪素子において、前記圧電/電歪作動部を膜形成する一方、前記セラミック基板を、酸化イットリウム、酸化イッテルビウム、酸化セリウム、酸化カルシウムまたは酸化マグネシウムにて安定化した酸化ジルコニウムから構成した。
Claim (excerpt):
薄肉のセラミック基板と該セラミック基板上に設けられた、電極及び圧電/電歪層からなる圧電/電歪作動部とを備えた圧電/電歪素子にして、前記圧電/電歪作動部が膜形成法によって形成されている一方、前記セラミック基板が、酸化イットリウム、酸化イッテルビウム、酸化セリウム、酸化カルシウム及び酸化マグネシウムからなる群より選ばれた少なくとも一つの化合物の含有によって結晶相が安定化されてなる酸化ジルコニウムを主成分とする材料から構成されていることを特徴とする圧電/電歪膜型素子。
IPC (3):
H01L 41/09
, B41J 2/045
, B41J 2/055
FI (2):
H01L 41/08 C
, B41J 3/04 103 A
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